extracted_text:
Лабораторная работа № 1
Исследование характеристик полупроводниковых диодов
на
постоянном и переменном токах
ТЕОРИЯ
Область   полупроводника,   в   которой   имеется     пространственное
изменение   типа   электропроводности   называется   электроннодырочным
переходом   или  pnпереходом.   рnпереход   составляет   основу   многих
полупроводниковых приборов, в том числе, полупроводниковых диодов.
Физические процессы при образовании рп перехода
Условием   образования   рп
 перехода   является   резкое
пространственное   изменение   типа   проводимости   полупроводника.    рп
переходы, ограниченные со стороны р и побластей плоскостями, размерами
намного превышающими ширину перехода, называются плоскостные.
Допустим,   что   контактируются   два   полупроводника   с   дырочной
(концентрация   акцепторов   в  pобласти  Na)   и   электронной   (концентрация
доноров в  nобласти  Nд) электропроводностями. При этом граница раздела
плоская   и   контакт   является   идеальным   (т.е   отсутствуют   поверхностные
состояния   и   рассогласование   параметров   решеток).   При   комнатной
температуре   атомы   доноров   и   акцепторов   можно   считать   полностью
ионизированными, т.е. в полупроводнике ртипа рp=Na, а в полупроводнике n
типа nn=Nд.
Концентрация  pp  обычно   намного   больше,   чем  рn,   где   они   являются
неосновными   носителями   заряда.   Также  пp  намного   меньше,   чем  nn  в  n
области, где они являются основными носителями заряда.
Таким   образом,   в   pn      переходе   имеется   градиент   концентрации
основных   носителей   заряда.  Под   действием   градиента   концентрации
электроны будут диффундировать через pnпереход из nобласти в робласть,
1 а дырки  в противоположном направлении (рис.1, процессы 3, 31). Встречное
движение электронов и дырок образует диффузионный ток рn  перехода.
В результате диффузии электронов в прилегающем к контакту слое  р
области   возникает
ионизированных акцепторов, который не скомпенсирован зарядом дырок.
 отрицательный   пространственный
заряд
В   приконтактном   слое  nобласти   остаются   ионизированные   доноры   и
возникает  положительный   пространственный   заряд  ионизированных
доноров, нескомпенсированный зарядом электронов. Таким образом, слева и
справа   от   контакта   возникает  двойной   слой  пространственного   заряда.
Электрическое поле, возникающее при образовании пространственного заряда
препятствует дальнейшей диффузии основных носителей заряда, в то время
как неосновные носители заряда (т.е. дырки из  nобласти и электроны из  p
области) могут беспрепятственно проходить через переход (рис.1, процессы 4,
41),  образуя   дрейфовый   ток,   направление   которого   противоположно
диффузионному.  Процесс   диффузии   продолжается   до   тех   пор,   пока   не
уравновесится потенциальным барьером электрического поля рn  перехода.
При   этом   диффузионный   ток   основных   носителей   и   дрейфовый   ток
неосновных носителей равны по значению и противоположны по направлению.
За   пределами   области   пространственного   заряда   в   силу   равенства
концентраций подвижных носителей заряда соответствующим  концентрациям
примесей, полупроводник остается электрически  нейтральным  и плотность
пространственного заряда равна нулю.
Часть электронов, переходящих из  nобласти в  робласть, теряет свою
энергию   при   преодолении  потенциального   барьера,   тормозится   в   ней   и
втягивается   обратно   в  nобласть   (рис.1,   процесс   2).
 Эти   электроны
увеличивают в пограничном слое робласти концентрацию отрицательных
зарядов. Однако  часть электронов, перешедших из побласти, способных
преодолевать   потенциальный   барьер,   проникает   вглубь   робласти   и
2 рекомбинируют с дырками. Аналогичные явления происходят с дырками
при переходе в побласть (рис.1, процесс 21).
  В   приконтактном   слое   концентрация   основных   носителей   заряда
уменьшается   по   сравнению   с   их   концентрацией   в   остальной   толще
полупроводника.
Благодаря   наличию   встроенного   электрического   поля,   концентрация
подвижных   носителей   заряда   в  pnпереходе   значительно   меньше,   чем   в
нейтральных областях полупроводника.
  Поэтому,   обедненный   носителями   слой   между   двумя   областями
полупроводника   с   разным   типом  электропроводности   обладает   высоким
электросопротивлением,  и называют запирающим слоем.
В состоянии термодинамического равновесия (когда приложенное к pn
переходу   внешнее   напряжение   равно   нулю)   диффузионный   и   дрейфовый
потоки   зарядов   через   электроннодырочный   переход   компенсируют   друг
друга.
Плотность тока дырок и электронов могут быть найдены из соотношений:


x
j
p

eD
p

xj
n


eD
n
dp
dx
dn
dx

p
ep
E
,      (1)

n
en
E
.   (2)
Помимо рассмотренных механизмов протекания тока, существуют токи,
связанные   с   процессами  термогенерации  и  рекомбинации  электронно
дырочных   пар   в   области   перехода.   Дырки   и   электроны,   проникающие   в
переход   со   стороны  р   и  п   областей   соответственно,   имеют   конечную
вероятность рекомбинировать в переходе (рис.1, процессы 5, 5').
С этим процессом связан ток, протекающий в направлении оси х.
С   другой   стороны,   при   термогенерации   электроннодырочных   пар   в
переходе   образовавшиеся   носители   заряда   подхватываются   электрическим
полем, причем электроны переносятся в побласть, а дырки  робласть (рис.1,
процессы 6, 6').
3 Возникающий при этом ток термогенерации
 направлен против оси х
(вдоль   поля)   и   в   состоянии   равновесия   в   точности   компенсирует   ток
0gj
рекомбинации
0rj
:

j
r
0
 g
0
j
0
                     (3)
Суммарная   плотность   тока   через   переход   в   состоянии   равновесия
равна нулю:

j
j
0

j

j
дрp
0
дифn
0

j
дрn
0

0


j
j
r
0
g
0
дифp
0
робласть
.    (4)
Е
побласть
Еg
3
1’
2’
6’
4’
jn др0
jp др0
jg0
5
5’
lp0
xφ
ln0
4
2
6
1
3’
jn диф0
jp д иф0
jr0
ЕС
Еk
Fi
ЕV
x
Рис.1 Токи через равновесный pn переход
4 Сильно легированная область полупроводника, называется эмиттером.
Эмиттер служит для  инжекции  носителей. Область  полупроводника, в
которую   инжектируются   эмиттером   неосновные   для   нее   носители   заряда,
легированная слабее эмиттерной области называется  базой.
Ввиду   искривления   запрещенной   зоны   в   области   перехода   между
эмиттером и базой существует энергетический барьер, высота которого равна
разности электростатических энергий в п и р областях:

E
k

F
ip
F
in
.                 (5)
Соответственно, потенциалы эмиттера и базы отличаются на величину


k
F
ip
F
in

e
.                   (6)
Величина
k  называется контактной разностью потенциалов.


k
T
ln

ln
n
0


0

l
p
0

n
0
p
p
n
2
i
,   (7)
где
T 
kT
e
  температурный потенциал.
Контактная разность потенциалов зависит от положения уровня Ферми в
p   и  nобластях. Увеличение концентрации примесей в любой из областей
смещает   уровень   Ферми   от   середины   запрещенной   зоны,   а   следовательно,
увеличивает   высоту   потенциального   барьера.   Уменьшение   концентрации
примесей, наоборот, снижает потенциальный барьер.
≈
При  Т=300К   температурный   потенциал
германиевых   переходов   потенциальный   барьер
переходов      0,70,8В.   В   среднем   величина
T
0,026В.   У   большинства
k =0,30,4В;   у   кремниевых
k   составляет   2/3   ширины
запрещенной зоны полупроводника в вольтах.
Теперь рассмотрим, как изменяются потоки электронов и дырок через p
nпереход,   когда   к   нему   приложено   внешнее   напряжение,   называемое
напряжением смещения.
Если внешнее напряжение подано в «обратной полярности» ( "минус"
внешнего   источника   напряжения     к  pобласти,   а   "плюс"   к  nобласти),   то
5 основные   носители   заряда   будут   дрейфовать   в   возникшем   электрическом
поле от пограничных к переходу слоев в глубь полупроводника. В результате
ширина обедненного основными носителями слоя увеличится по сравнению с
равновесным   состоянием   и   возрастет   сопротивление  pnперехода.   В   этом
случае приложенное к переходу результирующее напряжение определяется
суммой величин
k   и
обрU , где
обрU    внешнее напряжение, поданное в
обратной полярности. При этом напряженность электрического поля в  pn
переходе   возрастает,   увеличивается   изгиб   энергетических   зон   и   величина
потенциального барьера для основных носителей на величину
eU .
обр
Если внешнее напряжение подано в «прямой полярности» (к pобласти
подключен "плюс" источника внешнего напряжения, а к nобласти  "минус"),
то под действием внешнего поля основные носители заряда перемещаются по
направлению к pnпереходу. В приконтактных слоях концентрация носителей
увеличивается, толщина перехода становится меньше и сопротивление  pn
  В   этом   случае   приложенное   к   переходу
перехода   понижается.
прU , где
результирующее напряжение определяется разностью величин
прU      внешнее   напряжение,   поданное   в   прямой   полярности.   При   этом
k  и
уменьшается   напряженность   электрического   поля   в  pnпереходе,   изгиб
энергетических зон и высота потенциального барьера для основных носителей
на величину
eU .  При этом диффузионный ток основных носителей через
пр
переход возрастает по экспоненциальной зависимости от напряжения. Этот
ток называют прямым.
Зависимость   толщины  pnперехода   l   от   приложенного   внешнего
напряжения U определяется из следующего выражения:

 0
lUl

k
k


k
U
,                         (8)
где   l 0   –толщина  pnперехода   в   равновесном   состоянии.
2k
     для
ступенчатого перехода,
3k
  для линейного перехода.
С   изменением   высоты   потенциального   барьера   нарушается
 между
термодинамическое   равновесие   и   изменяется   соотношение
6 диффузионным и дрейфовым токами.  Дрейфовый ток через переход почти не
зависит  от  приложенного  напряжения:  внешнее  напряжение  изменяет  лишь
скорость переноса неосновных носителей заряда и не влияет на количество
переносимых   носителей   в   единицу   времени.  Диффузионная  составляющая
тока через переход зависит от высоты потенциального барьера.
Таким образом, в случае подачи на  pnпереход обратного напряжения
величина   диффузионного   тока   через   переход   уменьшается   с   увеличением
обрU |>> T )
напряжения.
диффузионный ток стремится к нулю, а общий ток через переход стремится к
  При   больших   обратных   напряжениях   (|
величине   дрейфового   тока.   Этот   ток   называют   тепловым   током   или
обратным током насыщения pn – перехода и обозначают Is.
Вольтамперная характеристика pnперехода
Вольтамперная   характеристика
идеализированного
 pnперехода
описывается выражением:
I

I
U

T


s e


1



,                (9)
I
s

I
sp
I
sn
 тепловой ток диода,
sp
sp
sn
sj
I   тепловой ток дырок,
I   тепловой ток электронов,
где  S  площадь перехода,  j  плотность тока.
sj
sn
Тепловой   ток  является   единственным   параметром,   полностью
определяющим ВАХ идеализированного диода. Как следует из выражения для
ВАХ, при U > 0 ток через переход возрастает, при U<0  убывает. Так как при
комнатной   температуре
T =kT/e 26мВ,
≈

  то   при   положительных
напряжениях, превышающих 0,1В, в выражении для ВАХ можно пренебречь
единицей по сравнению с экспоненциальным членом.
При отрицательных напряжениях (|U|≥0,10,2B)  экспоненциальный член
становится   пренебрежимо   малой   и   ток   через   переход   стремится   к   току
насыщения. Таким образом, величина и направление тока, проходящего через
pnпереход,   зависят   от   величины   и   знака   приложенного   к   переходу
7 напряжения. В соответствии с этим электрическое сопротивление перехода в
одном   направлении   может   быть   значительно   больше,   чем   в   другом.
Следовательно,
 pnпереход   обладает   выпрямляющим   действием
односторонней проводимостью, что позволяет использовать его в качестве
выпрямителя переменного тока.
ВАХ   реального   диода   может   значительно   отличаться   от   ВАХ
идеализированной модели диода. Для реальных диодов на большом участке
прямой   ветви   ВАХ   ток   диода   может   быть   значительно   ниже
теоретически   возможного,   а   обратный   ток      больше   тока   насыщения.
Прямая ветвь характеристики близка к экспоненте лишь при сравнительно
  Главной   причиной   (помимо   тока
небольших   уровнях   инжекции.
рекомбинации), обусловливающей отличие прямых ветвей ВАХ реального и
идеального   диодов,   является   наличие  сопротивления   базовой   области  rб,
которое у реальных диодов имеет величину от 12 до 2030Ом, и модуляции
этого   сопротивления   за   счет   инжектированных   из   эмиттера   неосновных
носителей, кроме этого при прохождении прямого тока на сопротивлении  rб
возникает падение напряжения Irб, снижающее
прU .
При   наличии   большого   прямого   напряжения   величина   потенциального
барьера   снижается   настолько,   что   он   перестает   влиять   на   величину
протекающего через переход прямого тока.
Прямой   ток   будет   при   этом   определяться   лишь   сопротивлением
высокоомной базы и линейно зависеть от приложенного напряжения.
Этот участок характеристики диода называется омическим и составляет
в большинстве случаев основную ее рабочую область.
Вырождение экспоненциальной зависимости в линейную происходит при
сравнительно малых токах.
Обратный   ток   реального   диода   не   достигает   насыщения,   а   растет   с
увеличением обратного напряжения.
8 Главными   причинами  роста   обратного  тока   реального  диода   являются
ток термогенерации в объеме и на поверхности перехода и ток утечки по
поверхности перехода.
В германиевых диодах при комнатной температуре ток термогенерации
мал (ввиду высокой собственной концентрации носителей) и обратный ток
близок к току насыщения. В кремниевых диодах при комнатной температуре
ток термогенерации является основной составляющей обратного тока.
  Ток утечки кремниевых диодов при комнатной температуре в ряде
случаев превышает сумму токов насыщения и термогенерации. Поэтому
полный   обратный   ток   кремниевого   диода   меньше   обратного   тока
германиевого диода всего на 23 порядка.
Iпр
Ge
Si
Ge
б
а
в
Si
а
б
в
Uп
р
Рис.2. Типовые ВАХ германиевого и кремниевого диодов.
ВАХ   реальных   диодов   с   учетом   сопротивления   базы   описывается
выражением:
БIrU


Т
I

I


S e


1



               (10)
Другой   полезной   аппроксимацией   ВАХ   реального   диода   является
функция
I

I
0



U

Тm
e

1



.                  (11)
В   зависимости   от   режима   коэффициент
 m
(коэффициент
неидеальности) принимает значения от 1 до 3. Коэффициент качества ВАХ
9 диода при этом составляет
k
1 . В этом смысле все факторы, отличающие
m
реальный диод от идеализированной модели, являются нежелательными.
Вид ВАХ в значительной степени зависит от температуры. Зависимость
обратной   ветви   ВАХ   от   температуры   определяется  температурной
зависимостью  тока   насыщения,   который   пропорционален   концентрации
неосновных   носителей   заряда   в   базе,   возрастающей   с   увеличением
температуры  по  экспоненциальному  закону.  Зависимость  теплового  тока
от   температуры   тем   более   велика,   чем   шире   запрещенная   зона
полупроводника  Eg.   Так  Eg,   при   300К   величина   температуры   удвоения
теплового   тока   для   германия   (Eg=0,72эВ)   составляет   10К;   для   кремния
(Eg=1,12эВ)  6,5К, а для арсенида галлия (Eg=1,52эВ)  всего 4,7К.
I
IB
IB
’
1’ 1    2  2’
TKH>0
TKH<0
U
Рис.3.  Влияние  сопротивления  базы  на  ВАХ  диода:  rБ=0  (кривые  1,  1’);  rБ>0
(кривые 2, 2’); T’>T.
На практике ток обычно измеряется при комнатной температуре
0T   и
требуется   определить   его   значение   при   произвольной   температуре  T .
Используя выражение для
TIS

, получим

TI
S

TI
0
S



exp



Eg
kT



1
T
0

1
T






.                 (12)
Температурная   зависимость   прямой   ветви   ВАХ   удобно   выразить   как
изменение с температурой прямого напряжения при постоянном прямом токе.
10 Для   этого   введено   понятие  температурный   коэффициент   напряжения
(ТКН), характеризующий сдвиг ВАХ по оси напряжений:

U

U

T
dI
0
.           (13)
ТКН   численно   равен   изменению   прямого   напряжения   на   диоде   при
изменении температуры на 1 градус и постоянном токе диода.
При
U
 3
T

I

S
I
U

U
g
E
e

T
.         (14)
Для   невырожденных   полупроводников
U
T 
E
g
e
,   а   величина   ТКН
отрицательна, поэтому при увеличении температуры прямая ветвь ВАХ диода
сдвигается в сторону меньших напряжений. При  T 290К и
U


U
Eg
T




4,2
mB
mB
9,3
/
/

град

град
Ge

Si


.
диоды

диоды
.
g
E
e
:
При   расчетах   ТКН   обычно   принимают   равным   2   мВ/град   для  Ge  и
4мВ/град   для  Siдиодов.   ТКН   зависит   от   тока   и   с   ростом   его   немного
уменьшается.
Ge
I(мкА)
Si
U(B)
2          1
0,4          0,2
1
2
I(мкА)
U(B)
1
2
3
Рис. 4. Обратные ветви ВАХ германиевого (а) и кремниевого (б) диодов.
3
б)
а)
11 Основным показателем качества ВАХ диода является нелинейность его
характеристики,   позволяющая   осуществлять   выпрямление   электрических
сигналов, ограничение их по амплитуде, преобразования частотного спектра и
другие   нелинейные   операции.   Нелинейность   ВАХ   проявляется   в   различии
дифференциального  (или   внутреннее)   сопротивления   перехода   для
переменной составляющей тока малой амплитуды
r 
dU
dI
  и  статического
сопротивления
R  . Из выражения для ВАХ находим
U
I
r



T
I
S
I
,                   (15)
R


T
I


1ln


I
I
S



        (16)
Легко видеть, что в состоянии равновесия (
0U
) дифференциальное и
статическое сопротивления совпадают.
На прямой ветви ВАХ (
0U
) дифференциальное сопротивление меньше
I   дифференциальное сопротивление зависит только
SI
статического. При
от тока и температуры, причем эта зависимость одинакова для всех диодов:
R
 .                      (17)
T
I
На   обратной   ветви   ВАХ   (
0U
)   дифференциальное   сопротивление
 3
U
больше   статического.   При
сопротивления   может   считаться   бесконечно   большой,   так   как
величина   дифференциального
 .
SI
Статическое   сопротивление   при   этом   пропорционально   обратному
напряжению:
I

T

R 
U
SI
.                      (18)
С   ростом   прямого   тока   дифференциальное   сопротивление   перехода
быстро падает. При токах порядка 510 мА оно составляет несколько Ом.
Дифференциальное   сопротивление   перехода   в   обратном   направлении
значительно больше, чем в прямом.
12 Как   было   отмечено   выше,   критерием   качества   диода   может   служить
коэффициент качества ВАХ, определяемый следующим образом:

k

T
Id
2
dU
/2
dI
dU
        (19)
Для   элемента,   обладающего   линейной   ВАХ   вида
I  ,
aU
0k
.   Для
идеального диода, имеющего ВАХ вида
I

U

T


s eI


1



,
1k
.
Механизм инерционности диода
Полупроводниковый   диод   обладает   инерционностью.   Допустим,   диод
переключается   из   проводящего   (открытого)   состояния   в   непроводящее
(закрытое). При этом инерционность проявляется в следующем:
1. После подачи запирающего напряжения его высокое сопротивление,
устанавливается не мгновенно, с некоторой временной задержкой.
2. После подачи на закрытый диод отрицательного напряжения, инжекция
носителей заряда через переход также начинается с некоторой задержкой во
времени.
После   отпирания,   прямое   напряжение   на   переходе   устанавливается   в
течение некоторого конечного времени.
При работе в режиме малого сигнала, инерционность диода проявляется в
том, что его адмитанс (полн. ) имеет реактивную составляющую.
Инерционность   диода   связана   двумя   физическими   процессами
накопления заряда в различных областях диода.
Во первых, при изменении напряжения на  pn  переходе изменяется его
ширина   и   ,   следовательно,   полное   количество   положительного   и
отрицательного   заряда   в   области   перехода.   Поскольку   изменение   заряда
можно осуществить  за  конечное  время,  напряжение на  переходе  не  может
измениться мгновенно.
Вовторых, при изменении напряжения на диоде изменяется полный заряд
неосновных носителей, инжектированных  из эмиттера в базу (и в меньшей
13 степени, из базы в эмиттер). Изменение заряда неосновных носителей в базе
также не может произойти мгновенно.
Рис. 5
Таким образом, инерционность диода обусловлена накоплением зарядов в
области pn перехода и в области квазинейтральной базы.
Переключение диода из закрытого состояния в открытое происходит не
мгновенно. Это можно наблюдать на экране осциллографа, если приложить к
диоду напряжение прямоугольной формы высокой частоты (рис. 5).
При переходе из закрытого в открытое состояние необходимо время
Гвкл,  необходимое   для   рассасывания   избыточных   зарядов   потенциального
барьера и достижения диффузионного равновесия.
При переходе из открытого состояния в закрытое необходимо время 1\,
за которое рассасываются избыточные носители и время 1г, за которое вновь
устанавливается потенциальный барьер. Общее время выключения гВЬ1кл = 1\ +
Н. На этапе 1\ через диод протекает большой обратный ток, а напряжение на
нём убывает, сохраняя прямое направление. На этапе  ^ ток обратный ток
убывает до нормального значения. Реальная картина, наблюдаемая на экране
осциллографа,   может   несколько   отличаться   от   описанной   изза   влияния
входной ёмкости осциллографа и монтажа.
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
14 ЗАДАНИЕ
Снять   вольтамперные   характеристики   выпрямительного   диода   (типа
КД226, 1N5408), импульсного диода (типа КД521, КД522, 1N4148), диода
Шотки (типа 1N5819). По характеристикам определить основные параметры и
сравнить их. На экране осциллографа пронаблюдать процессы включения и
выключения диода, определить время включения и выключения.
Порядок выполнения эксперимента
1.  Соберите   цепь   (рис.5.а)   для   снятия   прямой   ветви   вольтамперной
характеристики диодов. Монтажная схема изображена на рис. 6
  Обратите внимание, что вольтметр этой в схеме подключён к
точке «В» (после амперметра.) и на его показания не влияет падение
напряжения на амперметре, которое соизмеримо с прямым падением
напряжения   на   диоде.   В   то   же   время   ток   через   вольтметр
несоизмеримо   мал   с   прямым   током   диода   и   не   вносит   заметной
погрешности в показания амперметра.
          а) Прямая полярность                                б) Обратная полярность
                                                        Рис. 5
15 Рис.6
2.  Устанавливая   токи,   указанные   в   табл.   1   снимите   прямую   ветвь
вольтамперной   характеристики   сначала   выпрямительного   диода   затем
импульсного и, наконец, диода Шотки. На рис. 7 постройте графики.
3.  Измените   схему   для   снятия   обратной   ветви   вольтамперных
характеристик   переключив   вольтметр   в   точку   А   (до   амперметра)   и
перевернув диод.
В этой схеме через амперметр не протекает ток вольтметра,
который теперь соизмерим и даже больше обратного тока через диод.
В то же время падение напряжения на амперметре ничтожно мало
по сравнению с обратным напряжением на диоде.
4.  Устанавливая   напряжения,   указанные   в   табл.   2,   снимите   обратную
ветвь вольтамперной характеристики диода Шотки. Убедитесь, что обратный
16 ток   выпрямительного   и   импульсного   диодов   настолько   мал,   что   его
невозможно измерить приборами, имеющимися в стенде. На рис. 7 постройте
графики.
I, мА
1
2
5
10
15
20
25
30
35
40
Таблица 1 (прямая ветвь)
U, В
КД226
КД522
1N5819
U, В
2
5
10
15
20
25
28
Таблица 2 (обратная ветвь)
17 I, мА
КД226
КД522
1N5819
                                                            Рис. 7
5. Для исследования характеристик диодов на переменном токе соберите
на наборном поле цепь согласно принципиальной схеме рис. 6. Измерительные
приборы в схему не включайте, так как они могут создать дополнительные
паразитные ёмкости. Не забудьте включить инвертирование сигнала по каналу
II, чтобы отклонение луча вверх соответствовало прямому току через диод.
18 Рис. 8
6.  Для начала включите в цепь выпрямительный диод, подайте на вход
синусоидальное   напряжение   частотой   1кГц,   установите   ручку   регулятор
амплитуды   примерно   в   среднее   положение   (4...6   В)   и   отрегулируйте
развертку,   синхронизацию   и   усиление   по   двум   каналам   осциллографа   так
чтобы на экране помещались 1,5...2 периода кривых тока и напряжения.
7. Переключая множитель частоты х1, х10, х100, и регулируя, каждый раз
длительность развёртки осциллографа, пронаблюдайте за изменением кривой
тока. Объясните результаты (имейте в виду, что в положении множителя
х100 выходное напряжение генератора снижается примерно в 2 раза).
8. Переключите осциллограф в режим ХУ. При этом на экране появится
изображение динамической вольтамперной характеристики диода: прямой ток
по оси У вверх, прямое падение напряжения  по оси X вправо.
9.  Снова попереключайте множитель частоты, наблюдая за изменением
динамической вольтамперной характеристики. Объясните, почему при низкой
частоте   динамическая   вольтамперная   характеристика   совпадает   со
статической, а при высокой  не совпадает.
10. Попробуйте повторить эти опыты с импульсным диодом и с диодом
Шотки. Объясните отличия.
11.  Снова   включите   в   цепь   выпрямительный   диод,   переключите
осциллограф   в   режим   развёртки   и   установите   на   входе   прямоугольное
двухполярное   напряжение   частотой   примерно   40...50   кГц   и   небольшой
19 амплитуды   (2...3   В),   чтобы   меньше   искажалось   выходное   напряжение
генератора.
12. Настройте изображение, перерисуйте осциллограмму в отчёт (рис. 9),
не забыв указать масштабы по осям (масштаб по оси тока вычисляется как
масштаб напряжения , по каналу  II, делённый на сопротивление, с которого
снимается сигнал.).
13.  Определите   по   осциллограмме   время   включения  tвкл  и   время
выключения: tвыкл
                                   Рис.9
Из осциллограммы:
время включения        tвкл =........мкс;
время выключения:     tвыкл=........мкс.
Контрольные вопросы
1. Какие pnпереходы применяются в выпрямительных диодах?
2. Где применяются выпрямительные диоды?
3. Какова природа диффузионного и дрейфового токов в pnпереходах?
20 4.   Объясните   физические   процессы,   приводящие   к   образованию
энергетических барьеров в диоде.
5. Объясните физические процессы, приводящие к выпрямлению в  pn
переходах.
6. Как зависит ток в реальном диоде от внешнего напряжения?
7. Сравните германиевый и кремниевый диоды, пользуясь ВАХ. Каковы
недостатки   и   преимущества   кремниевых   диодов   по   сравнению   с
германиевыми?
8. Каковы основные параметры выпрямительных диодов?
9. Что такое ТКН?
10.   Почему   для   измерения   обратной   ветви   ВАХ   нельзя   пользоваться
схемой, показанной на рисунке 5, а), поменяв полярность включения диода?
11.   Почему   у   диода   Шотки   пороговое   напряжение   меньше,   чем   у
выпрямительного диода и импульсного диода, а обратный тока больше?
13. Какой из испытанных диодов имеет наименьшее быстродействие и
почему?
14.   Чем   отличается   вольтамперная   характеристика   диода,   снятая   при
высокой частоте от статической характеристики?
21

file_name: Лабораторная работа 1 Диод.doc

intro:
ТЕОРИЯ
Область полупроводника, в которой имеется  пространственное изменение типа электропроводности называется электронно-дырочным переходом или p-n-переходом. р-n-переход составляет основу многих полупроводниковых приборов, в том числе, полупроводниковых диодов.
Физические процессы при образовании р-п- перехода
Условием образования р-п- перехода является резкое пространственное изменение типа проводимости полупроводника.  р-п- переходы, ограниченные со стороны р- и п-областей плоскостями, размерами намного превышающими ширину перехода, называются плоскостные.
Допустим, что контактируются два полупроводника с дырочной (концентрация акцепторов в p-области Na) и электронной (концентрация доноров в n-области Nд) электропроводностями. При этом граница раздела плоская и контакт является идеальным (т.е отсутствуют поверхностные состояния и рассогласование параметров решеток). При комнатной температуре атомы доноров и акцепторов можно считать полностью ионизированными, т.е. в полупроводнике р-типа рp=Na, а в полупроводнике n-типа nn=Nд.

title: Лабораторная работа: Исследование характеристик полупроводниковых диодов на постоянном и переменном токах


extracted_text:
СОДЕРЖАНИЕ
         Введение                                                                                2
Теоретическая часть                                                                                3
Режим питания школьников                                                                           3
1
1.1
1.2     Основы рационального питания школьников и ассортимент блюд
          школьных столовых                                                                                7
1.3 Оборудование и организация рабочих мест в школьных столовых           11
1.4 Организация обслуживания в школьных столовых                                     11
1.5 Санитарные требования к организации питания в школьных столовых   12
2
Экспериментальная часть                                                                               13
2.1 Характеристика предприятия                                                                         13
2.2 Ассортимент блюд школьной столовой                                                        13
2.3
 Оборудование и организация работы школьной столовой                        15
2.4 Организация обслуживания в школьной столовой                                      16
2.5 Соблюдение санитарных требований в школьной столовой                      17
Пути совершенствования организации работы предприятия                     18
3
     Заключение                                                                                19
     Список литературы                                                                                20
1 Введение
Пища – основа жизни человека. От того, как человек питается, зависит его
здоровье,   настроение,   трудоспособность.   В   детском   возрасте   отношение   к
правильному питанию особенно важно, следовательно, питание детей в школе не
только   его   личное,   но   и   общественное   дело.   От   того,   насколько   правильно   и
качественно   организовано   питание   школьника,   зависит   качество   его   учебной
деятельности.
             В течение учебного дня продолжительностью 56 ч учащийся затрачивает
около   600   ккал,   т.   е.   более   четверти   энергозатрат   в   сутки.   Предоставление
горячего   питания   в   течение   учебного   дня   оказывает   активное   влияние   на
улучшение учебновоспитательного процесса и повышение успеваемости.
       Предприятие общественного питания школы – это столовая по месту учебы –
школьная   столовая,   предназначенная   для   обеспечения   продукцией   массового
спроса (завтраками, обедами) учащихся этой школы.
           Цель научной работы – изучить правила организации школьного питания,
рассмотреть   реальную   организацию   работы   предприятия   питания   на   примере
столовой татарской гимназии г. Белебея и предложить пути усовершенствования
ее работы.
В соответствии с поставленной целью задачами научной работы являются:
 изучить  основы   рационального   питания   школьников,   ассортимент   блюд
школьных столовых;
 рассмотреть   техническую   оснащенность   школьной   столовой,   организацию
рабочих мест и организацию обслуживания школьников;
 рассмотреть соблюдение санитарных требований к организации питания в
школьной столовой.
Научная   работа   состоит   из   введения,   трех   частей   (теоретической,
экспериментальной, предложений по усовершенствованию), заключения и списка
литературы.
2 1
Теоретическая часть
1.1 Режим питания школьников

            Организация   питания   подростков,   школьников   1017   лет   имеет   свои
особенности,   заключающиеся   в   том,   чтобы   учесть   все   те   изменения,   которые
происходят в детском организме в этом возрасте. В этот период следует обратить
особое внимание на следующие моменты:
             Происходит интенсивный рост всего организма, сопоставимый с темпами
развития человека первого года жизни.
        Развиваются все основные системы: опорнодвигательная (особенно скелет),
идет  увеличение   мышечной  массы  (с учетом  половых  особенностей), сердечно
сосудистая   и   нервная   системы,   а   также   идет   радикальная   гормональная
перестройка организма, связанная с половым созреванием подростка.

            На   фоне   всей   физической   перестройки   повышаются   нагрузки   на
психоэмоциональную сферу.
              Возрастают   не   только   школьные   нагрузки,  но   и   напряжение,  вызванное
социальной адаптацией подростка.
       Правильная организация питания школьников может помочь в решении очень
многих проблем, возникающих именно в подростковый период. Сейчас особенно
важно обеспечить организм всеми ресурсами не только для роста и развития, но
также для все возрастающих нагрузок в школе и полового созревания.
           Именно в эти годы  фактически начиная с 10 лет  ребенок становится
взрослым   человеком.   И   это   касается   и   его   физического   развития,   и   психо
эмоционального, и интеллектуального. Ребенок осваивает новые для себя правила
3 взрослой жизни. Учится ответственности и самостоятельности, учится поновому
выстраивать свои отношения с людьми.
     Немаловажно и то, чтобы именно в этот период взросления ребенок научился
самостоятельно соблюдать режим питания, рационально питаться независимо от
присмотра взрослых. Вопервых, чтобы уже сейчас помочь своему организму в
нелегкой работе, а вовторых, чтобы выработать привычку, которая пригодится в
самостоятельной жизни. Ведь от того, как мы питаемся, зависит наше здоровье.
      При составлении рациона для школьников 1017 лет учитываются изменения
физиологических потребностей в пищевых веществах и энергии в зависимости от
возраста и пола ребенка.
     Режим питания школьника напрямую связан с распорядком его дня. Большую
часть времени подростки проводят в школе. В связи с этим следует учитывать
чередование   умственных   нагрузок   и   периодов   отдыха.   В   период   значительных
умственных нагрузок питание должно быть дробным и легкоусвояемым. Плотную
часть рациона, сытный обед, поставляющий белки и жиры и требующий долгого
переваривания следует перенести на период более или менее продолжительного
отдыха.
     Типовые режимы питания школьников при обучении в первую и вторую смены.
    Первая смена
7.30  8.00 Завтрак дома
10.00  11.00 Горячий завтрак в школе
12.00  13.00 Обед дома или в школе
19.00  19.30 Ужин дома
    Вторая смена
8.00  8.30 Завтрак дома
12.30  13.00 Обед дома (перед уходом в школу)
16.00  16.30 Горячее питание в школе
19.30  20.00 Ужин дома
4 При организации питания в школах следует иметь в виду основные медико
биологические требования:
     Школьный рацион должен состоять из завтрака и обеда и обеспечивать 25% и
35%   суточной   потребности   соответственно,   а   по   содержанию   белков,   жиров,
углеводов,   витаминов,   минеральных   солей   и   микроэлементов   завтрак   и   обед   в
сумме должны обеспечивать 5560% рекомендуемых суточных физиологических
норм потребности.

      Рационы   должны   быть   распределены   по   своей   энергетической   ценности,
содержанию белков, жиров и т.п. в зависимости от возраста.
       Необходимо соблюдение режима питания  завтрак перед уходом в школу,
второй завтрак в школе (1011 часов), необходимый для восполнения энергозатрат
и запасов пищевых веществ, интенсивно расходуемых в процессе обучения; обед
(дома или в школе) и ужин (не позднее, чем за 2 часа до сна).
        Школьное   питание   должно   быть   щадящим   как   по   способу   приготовления
(ограничение жареных блюд), так и по своему химическому составу (ограничение
синтетических пищевых добавок, соли, специй и др.).
        К   сожалению,  выполнения   всех   требований   современной   школой   ждать   не
приходится.   Кроме   того,   совершенно   не   представляется   возможным   учесть
индивидуальные   особенности   каждого   подростка.   Поэтому   многое   в   этом
направлении дети и их родители должны сделать сами.
Завтрак дома
    Нередко дети плохо завтракают перед школой или вовсе отказываются от еды.
Это может плохо сказаться на их здоровье. С другой стороны, в этом непростом
возрасте насильно решить проблему невозможно, да и не стоит. Как же ребенку
получить полноценное питание, которое ему просто необходимо?
       Взрослым следует понаблюдать за вкусовыми предпочтениями подростка и
постараться   предложить   школьнику  на  завтрак  чтонибудь  полезное   и вкусное.
Объяснить ему, почему так важно поесть перед школой.
5 Пища для завтрака не должна быть "тяжелой", перенасыщеной жирами. Это
может быть рыба, вареное яйцо или омлет, котлета, творог, каша. И обязательно
какиенибудь овощи. Можно дополнить меню чаем, какао с молоком или соком.
Завтрак с собой
    С собой в школу можно дать бутерброд с отварным мясом или сыром. Можно
предложить   ребенку   взять   йогурт,   рогалики,   пирожки,   булочки.   Если   есть
возможность, можно приготовить ребенку сырники, запеканки. Осенью особенно
хороши яблоки, груши, огурец или морковь. С собой в тщательно вымытой фляжке
или бутылочке школьник может взять сок, компот или чай.
        Очень важно учитывать, что некоторые продукты могут быстро испортиться
при   комнатной   температуре.   Особенно   быстро   портятся   мясные   продукты.
Несвежая вареная колбаса только навредит желудку. Особенно эта тема актуальна
для холодного времени года, когда в школах включают отопление, и продукты
портятся быстрее.
     Горячий обед
   "Школьный бутерброд" не может заменить полноценного обеда. Поэтому важно
объяснить ребенку, особенно если он остается после уроков на "продленку", что
очень важно и полезно есть "горячее". Если же ребенок находится на занятиях до
часа   или   до   двух,   а   затем   отправляется   домой,   взрослые   должны   проследить,
чтобы там его ждал полноценный обед.
     Домашняя упаковка
          Огромное   значение   имеет   то,  как   упакован   школьный   завтрак,  и   в  каких
условиях ребенок его будет есть. Можно использовать пластмассовые судочки или
пищевую   пленку.   В   судочках   пища   не   потеряет   своей   первичной   формы,   не
запачкает учебники. Зато завтрак, упакованный в пленку, с точки зрения гигиены
питания безопаснее и удобнее. Ведь не секрет, что школьники не всегда моют руки
перед едой. В таком пакете можно кусать бутерброд и при этом не прикасаться к
нему, держась только за пленку. Правда, это не означает, что ребенку не нужно
6 заботиться о чистоте рук. Родители должны рассказывать школьнику о важности
личной гигиены для его здоровья.
    Диета

      У   многих   подростков   в   связи   с   перестройкой   всего   организма   нередко
возникают проблемы с обменом веществ и, как следствие, проблемы с лишним
весом   и   состоянием   кожи.   Иногда   эти   неприятности   кажутся   взрослым
незначительными,   но   для   самого   подростка   они   очень   болезненны.   Важно   не
оставить   ребенка   наедине   с   этими   проблемами,   тем   более   что   многие   из   них
корректируются при помощи правильно подобранной диеты.
     При этом ни в коем случае нельзя формировать эту диету самостоятельно, без
помощи   диетолога.   Потому   что   в   любом   случае   ребенок   должен   получать   все
необходимые   вещества   и   микроэлементы.   Категорически   исключаются   любые
голодания,   "разгрузочные   дни",   диеты   с   жестким   ограничением   по   калориям,
тяжелые даже для взрослого организма.
          Все   перечисленные   проблемы   как   правило   носят   временный   характер   и
устраняются   за   счет   сбалансированного   питания,   режима   дня   и   физических
упражнений. Однако если нарушения имеют более серьезный характер, то вопросы
лечения должны решаться специалистами.
1.2  Основы рационального питания школьников и ассортимент блюд
школьных столовых
Современная наука придает чрезвычайно большое значение  рациональному
питанию, считая его основой здорового образа жизни.
Данные о потребности организма в пищевых веществах и взаимосвязи между
ними обобщены в работах многих ученых о рациональном питании. Рациональное
питание – это физиологически полноценное питание людей с учетом их возраста,
пола, характера труда и других факторов.
Основными принципами рационального питания являются следующие:
соответствие калорийности пищевого рациона суточным энергозатратам;
7 соответствие   химического   состава,   калорийности   и   объема   рациона
возрастным потребностям и особенностям организма;
сбалансированное соотношение пищевых веществ в рационе (белков, жиров и
углеводов, а также белков и жиров растительного происхождения);
использование   широкого   ассортимента   продуктов,   в   том   числе   овощей,
фруктов, ягод, разнообразной зелени;
правильная   кулинарная   обработка   продуктов   с   целью   сохранения
биологической   и   пищевой   ценности,   высоких   органолептических   свойств   и
усвояемости пищевых веществ;
строгое соблюдение режима питания .
При   составлении   рациона   питания   прежде   всего   обращают   внимание   на
обеспечение   энергетического  баланса:   поступление   калорий  в  организм  должно
быть строго сбалансировано с их расходом.
Организм   ребенка   даже   в   состоянии   покоя   расходует   энергию.   При
мышечной   и   умственной   работе   обмен   веществ   усиливается.   По   сравнению   с
расходом энергии при спокойном лежании он повышается даже при спокойном
сидении на 12%, при стоянии – на 20%, при ходьбе – на 80100, при беге – на
400%.
Расход   энергии   колеблется   в   зависимости   от   возраста   детей.   Организм
школьников 710 лет за сутки расходует в среднем 2300 ккал, мальчиков 1113 лет
– 2700, девочек этого же возраста – 2450, юношей 1417 лет – 3200, девушек –
2600 ккал.
Восполнить   эту   энергию   можно   только   за   счет   питания.   Чтобы   пища
принесла максимальную пользу, она должна содержать все вещества, из которых
состоит наше тело: белки, жиры, углеводы, минеральные соли, витамины и воду.
Большинство витаминов не вырабатывается в организме, а должно поступать
с пищей.
Продукты, используемые в питании школьников, различаются по пищевой и
биологической ценности.
Для растущего организма молоко – основной источник кальция (120 мг в 100
г молока) и фосфора (91 мг в 100 г). Их усвоение лучшее, чем в других продуктах.
Коровье молоко содержит  полноценные белки, жир, молочный сахар, минеральные
соли, витамины А, В1, В2, РР, D и Е. В питании детей следует использовать молоко
8 кипяченое,   стерилизованное   или   пастеризованное,   поступающее   во   флягах   или
пакетах.   Дети   6   лет   должны   употреблять   в   день   550   г   молока,   а   с   7летнего
возраста – 500 г.
В некоторых случаях молоко можно заменять кисломолочными продуктами,
которые   имеют   тот   же   состав,   но   по   ряду   свойств   отличаются   от   него   и
способствуют улучшению аппетита.
Особое значение в питании детей имеет творог, пищевые вещества которого
обладают теми же питательными свойствами, что и содержатся в молоке.
По   мере   роста   ребенка   в   рационе   возрастает   количество   мяса.   В   нем
содержится полноценный животный белок, значительное количество жиров. Все
виды мяса, особенно печень богаты железом, а также витаминами А, В1, В6, В12.
Кроме того, в состав мяса входят экстрактивные вещества, которые возбуждают
аппетит и стимулируют секрецию пищеварительных соков. Суточная норма мяса
для школьников 710 лет – 140 г, 1113 лет – 175 г, а старше 14 лет – 220 г. [4]
Большое количество полноценных белков содержится в рыбе. Белки рыбы
легче перевариваются  и усваиваются  организмом, чем белки мяса. Также рыба
содержит   небольшое   количество   жира,   в   котором   много   витамина   А   и
незаменимых жирных кислот. Многие виды рыб содержат йод. Количество рыбы в
рационе школьников 4060 г.
Яйца содержат большое количество незаменимых аминокислот, ценный жир,
фосфатиды,   кальций,   фосфор,   железо,   витамины  A,  D,  E.   Школьники   должны
получать 1 яйцо в день.
В хлебе содержится большое количество  углеводов, белков, минеральных
веществ   и   витаминов   группы   В.   Не   менее   ценными   по   содержанию   этих
питательных веществ являются крупы, бобовые и макаронные изделия.. Суточная
норма крупы для школьников 3035.
Овощи   являются   важнейшими   источниками   витаминов,   минеральных
веществ, углеводов. Норма овощей 325350 г в день.
Фрукты   и   ягоды   –   источники   витаминов   С   и   Р,   органических   кислот,
минеральных  солей   и  микроэлементов.  В  питании  школьников   должно  быть   не
менее 250500 г фруктов и ягод или консервированных продуктов.
Ассортимент   блюд   школьных   столовых   ,   их   рецептура   и   технология
определяются Сборником рецептур блюд для питания школьников.
9 Значительное место в меню школьных столовых должны занимать салаты из
сырых овощей. Заправляют салаты сметаной или маслом растительным. Готовят
также   салаты   витаминные   и   картофельные,   винегреты,   икру   овощную   и
баклажанную. Широко применяют холодные закуски из творога (сырковые массы,
протертый творог, со сметаной) и сыра.
Ассортимент супов школьных столовых мало отличается от обыкновенного,
но исключаются очень острые блюда: солянки, харчо, чанахи и др. Борщ, щи из
квашеной   капусты,   рассольник   с   крупой   готовят   по   обычной   технологии,   но
исключают   специи   и   вместо   уксуса   при   изготовлении   борщей   используют
лимонную   кислоту.   Значительное   место   в   меню   школьных   столовых   занимают
картофельные   супы   (с   крупами,   бобовыми)   и   овощные.   Отпускают   их   часто   с
мясными   и  рыбными   фрикадельками.  Значительное   место   отводится   молочным
супам с лапшой, вермишелью, макаронами, крупами, тыквой, разными овощами,
клецками   из   пшеничной   муки   или   манной   крупы,   а   также   овощным   супам   на
молоке и протертым первым блюдам.
Овощные   блюда   готовят   по   обычной   технологии   преимущественно   в
отварном и припущенном виде (картофель и капуста отварные, овощи в молочном
соусе,   овощное   пюре)   и   тушеные   (овощное   рагу).   Иногда   готовят   жареные   и
запеченные   блюда:   овощные   котлеты   (картофельные,   капустные),   различные
запеканки и овощи, запеченные под соусами (молочным и сметанным).
Варят рассыпчатые каши на воде, а молоко к ним подают отдельно. Вязкие и
жидкие   каши   варят   на   молоке,   разбавленном   водой,   или   на   цельном   молоке.
Готовят из круп манники, крупеники, пудинги, биточки, запеканки. В рецептуру
этих блюд вводят творог, морковь, тыкву и другие продукты.
Молоко   и   кисломолочные   продукты   подают   натуральными   с   различными
выпеченными изделиями, хлебом и кукурузными хлопьями.
Творог   для   подачи   натуральным   или   для   различных   блюд   необходимо
протирать.   Из   него   готовят   творожные   массы   соленые   и   сладкие,   сырники   и
запеканки. Сырники готовят из творога и из творога с добавлением картофеля или
моркови.
Для школьников готовят кулинарные изделия из рыбы, разделанной на филе
с кожей без костей, или из рыбной рубки. Исключение — мелкая навага (крупную
пластуют), салака и камбала. У мелкой наваги кости после тепловой обработки
10 легко отделяются, а у салаки при тушении размягчаются. У камбалы и палтуса
мякоть   легко   отделяется   от   костей.   Припущенную   рыбу   отпускают   с   соусом
белым   или   томатным.  Готовят   рыбу,  тушенную   в   масле  и   в  соусе   томатном   с
овощами.
Жарят и подают рыбу, как обычно. Особенно широко используют изделия из
рыбной   рубки.   Гарниром   к   рыбным   блюдам   служат   отварной   картофель   и
картофельное пюре. дополнительно подают огурцы, помидоры, квашеную капусту,
салат из капусты.
Мясные блюда готовят блюда из нежирной говядины и свинины, кролика,
печени кур и реже из баранины по обычной технологии.
Большинство   блюд   приготовляют   из   мякоти   без   костей   (кроме   блюд   из
кролика   и   кур).   Используют   все   виды   тепловой   обработки,   кроме   жарки   во
фритюре.
В   качестве   гарнира   используют   овощные,   картофельные,   крупяные   и
макаронные блюда
Для школьников готовят широкий ассортимент сладких блюд по обычной
технологии.
1.3  Оборудование и организация рабочих мест в школьных столовых
Важнейшей задачей организации школьного питания является укрепление ее
материальнотехнической базы. Доведение количества мест в школьных столовых
до норматива (250 мест на 1000 учащихся) позволяет обеспечить всех школьников
горячими   завтраками,   а   учащихся,   посещающих   группы   продленного   дня,   и
обедами.
В   зависимости   от   характера   производства   предприятия   общественного
питания  подразделяют   на   доготовочные,   работающие   на   полуфабрикатах,
раздаточные,   реализующие   готовые   горячие   завтраки   и  обеды,  и   предприятия   с
полным циклом производства, которые осуществляет обработку сырья, выпускают
готовую продукцию, а затем сами реализуют ее .
Сущность   организации   производства   в   школьной   столовой   заключается   в
создании условий, обеспечивающих правильное ведение технологического процесса
приготовления пищи.
11 1.4   Организация обслуживания в школьных столовых
График работы школьной столовой устанавливается администрацией школы
по согласованию с администрацией предприятия общественного питания. Обычно
горячие завтраки учащиеся получают во время второй и третьей перемен в два или
три потока в зависимости от распорядка занятий и вместимости столовой, а обеды
– после занятий для групп с продленным учебным днем.
Столы   заблаговременно   сервируют   посудой   и   приборами.   За   5   минут   до
начала перемены дежурные старшеклассники по абонементам (талонам) получают
скомплектованные обеды и завтраки, доставляют их на подносах или тележках в
зал,   ставят   блюда   на   столы   для   всего   класса.   После   приема   пищи   учащиеся
младших   классов   с   помощью   дежурных   и   преподавателей,   а   старшеклассники
самостоятельно собирают  и  относят  использованную посуду  и приборы к  окну
посудомоечного отделения или ставят ее на конвейер. Дежурные убирают в зале и
готовят его к приходу следующей группы школьников.
Для   быстрой   раздачи   напитков   в   стаканах,   хлеба   и   столовых   приборов
целесообразно использовать лотки, имеющие несколько отделений, в каждое из
которых укладывают соответствующие продукты или приборы.
Важным   элементом   рациональной   организации   обслуживания   школьников
является выбор эффективной формы расчетов за питание.
Все   учащиеся   14   и   511   классов   из   малообеспеченных   семей   должны
получать питание в школьных столовых на 7 руб. 50 коп. в день. Все учащиеся
коррекционных классов – 10 руб. в день. Дети в школахинтернатах и детских
домах   –   50   руб.   в   день.   Компенсационные   выплаты   на   удешевление   питания
учащихся города выделяются из местного бюджета.
Стоимость питания остальных школьников оплачивают родители. Расчет за
питание может производиться наличными деньгами, абонементными талонами или
в кредит.
1.5  Санитарные требования к организации питания в школьных
столовых
12 При   организации   питания   следует   руководствоваться   санитарно
  предъявляемыми   к   организациям
эпидемиологическими   требованиями,
общественного   питания,
  изготовлению   и   оборотоспособности   в   них
продовольственного сырья и пищевых продуктов, к условиям, срокам хранения
особо   скоропортящихся   продуктов,   к   организации   рационального   питания
обучающихся в общеобразовательных учреждениях.
При   организации   питания   учащихся   используют   в   основном
фарфорофаянсовую и сортовую стеклянную посуду.
Не рекомендуется алюминиевая и запрещается пластмассовая посуда.
Мытье  посуды  осуществляется   механическим  или  ручным  способом. При
ручном способе мытья посуды используется трехгнездная ванна.
Чистые столовые приборы хранят в металлических кассетах в вертикальном
положении ручками вверх.
2
Экспериментальная часть
2.1 Характеристика предприятия
В   данной   работе   рассматривается   организация   школьного   питания   на
примере татарской гимназии г. Белебея.
В   школьном   здании   на   первом   этаже   в   удобном   для   посещения   месте
расположена столовая, рассчитанная по проекту на 80 мест.
Количество   учащихся   в   школе   на   сегодняшний   день   –220человек.   Все
школьники занимаются только в одну смену.
Количество   питающихся   горячими   завтраками   –   примерно   170   чел,   в
основном,   это   учащиеся   младших   классов.   Кроме   горячих   завтраков   столовая
готовит горячие обеды и полдники для 80 школьников группы продленного дня,
они обедают в 13.00, полдник в 14.30.
13 Как   видно   из   приведенных   данных,   горячим   питанием   в   школе   охвачено
более половины учащихся (порядка 75%), это высокий показатель. В целом по
городу охват школьников горячим питанием составляет чуть более 60%.
2.2 Ассортимент блюд школьной столовой
Для   питания   учащихся   в   школьной   столовой   разработаны   примерные
двухнедельные меню комплексных завтраков и обедов.
  Каждое   меню   согласовано   с   главным   врачом   Санитарно
эпидемиологического контроля и утверждено.
Меню   составлены   с   целью   обеспечения   наиболее   полноценного   питания
школьников разных возрастов при минимальной его стоимости. Приведенные здесь
меню являются ориентиром, который действует весь учебный год. Допускается
определенная замена продуктов, да и цены в условиях рыночной экономики не
являются стабильными.
Ежедневно   заведующий   школьной   столовой,   исходя   из   обеспеченности
продуктовым   сырьем   и   ориентируясь   на   утвержденное   двухнедельное   меню,
составляет   меню   для   школьников   на   следующий   день.   Бухгалтеркалькулятор
районного комбината школьного питания расчитывает стоимость каждого готового
блюда и завтрака в целом. В зависимости от цен на приобретенные и поставляемые
в школьную столовую продукты будет различаться в разные периоды времени и
стоимость одних и тех же блюд из меню.
Учащиеся и их родители вправе сами выбрать, по какому из предложенных
меню питаться школьникам.
Меню разработано из расчета стоимости бесплатного для школьника (за счет
местного   бюджета)   горячего   завтрака   стоимостью   7,50   руб.   По   решению
администрации   города   все   учащиеся   14   классов   и   511   классов   из
малообеспеченных   семей   должны   получать   бесплатное   питание   в   школьной
столовой  на сумму 7 руб. 50 коп. в день.
Во всех меню довольно разнообразный ассортимент блюд, и это в условиях
ограничения определенными финансовыми рамками.
Из мясных блюд для школьников готовят: котлеты, тефтели, шницели из
говядины,   мясо   отварное,   жаркое   подомашнему,   печень   тушенную,   плов,
14 отварную   курицу.   Во   всех   мясных   блюдах,   кроме   блюд   из   кур,   используется
мякоть без костей.
Из   рыбных   блюд   в   меню   рыба,   тушеная   с   овощами.   Из   всех   видов   рыб
используется только горбуша.
В широком ассортименте овощи. Готовят  овощное рагу, маринад овощной,
салаты   из   свежей   капусты,   морковь   с   сахаром,   капусту   тушеную.   Подают   к
завтраку   отварную   свеклу.   Из   картофеля   два   блюда   –   картофель   отварной   и
картофельное пюре. Они идут на гарнир к рыбным блюдам.
Школьники   получают   блюда   из   круп,   бобовых   и   макаронных   изделий:
манную,   рисовую,   гречневую,   ячневую   и   геркулесовую   каши,   пудинг   манный   с
повидлом, пюре из бобовых,  макароны с сыром.
Из  напитков  в  меню  включены  чай  с сахаром,  какао  на  молоке, а также
витаминизированные напитки из шиповника и напиток «Золотой шар». Из сладких
блюд готовят кисель, компоты – из сухофруктов, из яблок, из кураги, из изюма.
Фрукты и ягоды в сыром виде отсутствуют.
Молока в чистом виде и творога ни в одном меню нет. Молоко используется
в кашах, напитках (какао). С творогом готовятся один раз в две недели: лапшевик
(меню на 10 руб.), запеканка и сочень (меню на 12 руб). Нет в меню и кефира. Это
объясняется   их   высокой   стоимостью,   а   молочные   продукты   особенно   нужны
растущему детскому организму.
Из   яиц   готовят   омлет   натуральный.   Один   раз   за   две   недели   школьник
получает  одно вареное  яйцо. Этого явно недостаточно, так как яйца содержат
большое количество незаменимых аминокислот и витаминов.
Включены в меню такие необходимые продукты как сыр и масло сливочное.
Хлеб присутствует в завтраках ежедневно.
Из выпечки в меню представлены: булочка школьная, булочка домашняя,
сдоба выборгская, корж песочный, пирожки.
 Ассортимент первых блюд представлен в обеденном меню (приложение Г):
борщ   из   свежей   капусты,   суп   гороховый,   суплапша   домашняя,   щи   из   свежей
капусты.
2.3
 Оборудование и организация работы школьной столовой
15 По характеру производства столовая гимназии относится к типу работающих
по полному циклу переработки продуктов: осуществляет обработку сырья, выпуск
готовой продукции, а затем сама реализует её.
  Мясо столовая получает в виде туш, рыбу –   замороженную (в основном,
горбуша), молоко – в пакетах, пастеризованное, овощи – сырые неочищенные.
     Столовая встроена в основное здание школы и включают в себя следующие
группы помещений:

обеденный зал с раздаточной;
производственные помещения;
складские   помещения   (камера   охлаждения   для   скоропортящихся


продуктов,  кладовые для сухих продуктов, овощей, инвентаря, загрузочная);


административно – бытовые помещения для персонала;
умывальник для посетителей;

технические помещения (вентиляционная камера, щитовая).
   Есть большая холодильная камера для хранения сырья и один бытовой
холодильник   в   цехе   для   временного   хранения   продовольственных   товаров
(сметана, масло сливочное, компоненты для салатов, полуфабрикаты).
Всё оборудование с 15летним сроком эксплуатации.
Из нового приобретения только мясорубка. Отсутствуют такие необходимые
механизмы   как   картофелечистка   и   овощерезка,   потребность   в   них   остро
ощущается.
В  помощь  работникам   столовой   ежедневно  выделяются   по  2  человека   из
старшеклассников. В их обязанности входит раздача на столы горячих завтраков,
протирание столов, подготовка к приему следующей группы школьников.
Контроль   за   качеством   готовой   продукции     возложен   на     заведующего
производством   школьной   столовой   и   медицинского   работника   школы.   Они   же
осуществляют   контроль   и   поступающего   в   школу   сырья.   Результаты   контроля
записываются   в   специальном   журнале.   Сотрудниками   ЦГСЭН   ежемесячно
проводится лабораторный контроль.
16 2.4 Организация обслуживания в школьной столовой
Горячие завтраки школьники получают во время перемен. Меню в школьной
столовой вывешен на стене столовой.
Главная задача школьной столовой – обслужить определенное количество
учащихся   в   очень   короткие   промежутки   времени.   В   связи   с   этим   дежурные
учащиеся   под   руководством   дежурного   преподавателя   осуществляют
предварительное накрытие столов. Столы и места в зале закреплены за каждым
классом   и   учащимся,   что   сокращает   продолжительность   пребывания   детей   в
столовой.
Посуда в столовой фарфорофаянсовая и сортовая  стеклянная. Салфеток и
вазочек с цветами на столах нет.
  Сначала   на   стол   приносится   хлеб   в   тарелке   и   столовые   приборы.   Для
раздачи   порционных   блюд   на   тарелках   используются   обычные   пластмассовые
подносы.   Конечно,   интереснее   были   бы   передвижные   стеллажи,   их   можно
применять также для сбора использованной посуды и доставки её на мойку. В
данном случае использованная посуда относится вручную каждым позавтракавшим
к моечной.
Оплата за питание производится   родителями учеников предварительно, в
конце   текущего   месяца   на   предстоящий.   Собирает   наличные   деньги   в   каждом
классеклассный   руководитель.   У   классного   руководителя   имеются     лимитные
книжки, в которых ежедневно отмечается  факт приема горячего завтрака  и обеда
школьником или отсутствие ученика по уважительной причине.
  Каждое утро классный руководитель сообщает в столовую о количестве
отсутствующих   учеников,   в   связи   с   чем   в   столовой   делается   корректировка
количества приготовляемых завтраков и схемы накрытия столов дежурными. Не
использованные школьником по уважительной причине в текущем месяце деньги
не пропадают, а засчитываются  на следующий месяц.
2.5 Соблюдение санитарных требований в школьной столовой
В   рассматриваемой   школьной   столовой   уделяется   достаточное   внимание
соблюдениям   санитарноэпидемиологических   требований,   предъявляемых   к
17 организациям школьного питания. Созданы все условия  (помещения, необходимое
оборудование)   для   изготовления   и   реализации   пищевых   продуктов,   хранения
скоропортящихся   продуктов   и   полуфабрикатов   (холодильная   камера,   бытовой
холодильник). Есть кладовые для   сухих   продуктов   и   овощей,
  моечные   для
столовой и кухонной посуды.
В   обеденном   зале   установлены   столы   для   приема   пищи:   прямоугольной
формы   со   скамейками,   оборудованные   специальными   кронштейнами   для
подвешивания   скамеек   во   время   уборки   зала.   Поверхность   столов   имеет
гигиеническое   покрытие,
  устойчивое   против   высокой   температуры   и
дезинфицирующих   средств.   Столы   после   каждого   приема   пищи   протираются
влажной салфеткой, а в конце рабочего дня моются горячей водой с моющими
средствами.
В оформлении стен обеденного зала использованы светлые тона, интересные
картинки.
В коридоре, ведущем в обеденный зал, размещены умывальники – 4 ед. К
уровню   норматива   (1   умывальник   на   20   мест   в   зале)   этого   недостаточно   при
условии полной загрузки зала.
Медицинский работник школы ведет постоянный ежедневный контроль за
соблюдением  санитарноэпидемиологических требований к работе столовой.
3
Пути совершенствования организации школьного питания
Не для кого не секрет, что социальноэкономическое положение в обществе,
неблагоприятная экологическая обстановка, низкий уровень заработной платы  не
улучшают   состояние   здоровья   населения,   тем   более   детей.   Для   всех   ясно   и
понятно,   что   именно   в   детском   возрасте   начинает   формироваться   состояние
здоровья. И если не обеспечить детей правильным, физиологически полноценным
питанием – то о каком здоровье взрослого человека может идти речь?
                 Есть задачи, с которыми школьная столовая может справиться. Где не
требуется   какихто   особых   затрат,   нужно   лишь   проявить   больше   фантазии,
18 профессионального мастерства, чтобы завлечь школьников в столовую, чтобы им
там было интересно и полезно:
 учитывать мнения учащихся при составлении меню;
 наряду с комплексными завтраками и обедами обслуживать школьников по
меню со свободным выбором;
 организовать диетическое питание;
   проводить тематические праздники, например, «Праздник осени», «День
сладкоежки» и т.д.;
  организовать учебу школьников по вопросам правильного питания;
 периодически вносить какието обновления в интерьер столовой (например,
цветы, картинки).
Решить задачи:
  проводить практикумы, касающиеся здорового питания, интегрированные
в курс обучения на каждом последовательном уровне обучения ;
   проводить   профессиональное   обучение   преподавателей   и   другого
школьного персонала в отношении профилактики здоровья и просвещения на тему
здорового питания;
     организация   или   содействовать   школьному   общественному   проекту   в
отношении питания;
  проводить обследование на наличие признаков неполноценного питания;
  создавать  среду, которая способствует здоровью и здоровому питанию.
Заключение
В ходе работы над основной темой настоящей научной работы выполнены
следующие задачи:
изучены теоретические основы рационального питания школьников;
рассмотрена    техническая    оснащенность    школьной   столовой   и


организация производства;
19 изучены  формы  организации обслуживания питающихся в школьных
рассмотрен   перечень  санитарноэпидемиологических  требований  к

столовых;

столовым общеобразовательных учреждений;

столовой  татарской гимназии;

школьной столовой.
изучена и проанализирована по всем вопросам организация питания  в
предложены пути усовершенствования организации питания в данной
Список литературы
1
Аграновский   Е.
общественного питания. — М.: Экономика, 1984
  Д.
  Организация   производства   на   предприятиях
20 2
3
4
5
6
7
8
9
Аносова М. М., Кучер Л. С., Лифанова Р. Ф. Организация производства на
предприятиях   общественного   питания:   учебник   для   технологических
отделений торговых техникумов. – М.: Экономика, 1985
Воробьева А. М. Питание школьника, Л, 1970
Книга о вкусной и здоровой пище. Издание 8е. Под ред. академика АМН
СССР А. А. Покровского. – М.: “Легкая и пищевая промышленность”, 1982
Матюхина З. П. Основы физиологии питания, гигиены и санитарии. — М.:
ИГПО; Изд. центр “Академия”, 1999
Мокшанина И. М., Коган П. Я. и др. Организация питания школьников. – М.:
Экономика, 1989
Обслуживание   на   предприятиях   общественного   питания.   –   под.   ред.
Радченко Л. А. – М., 2001
Радченко Л. А. «Организация производства на предприятиях общественного
питания», 2000г.
СанПиН 2.4.2.1178–02  "Гигиенические требования к условиям обучения в
общеобразовательных учреждениях
21

file_name: Питание школьников.doc

intro: Данная исследовательская работа подойдет для учащихся 3-5 классов, содержит в себе информацию о питании школьников, о пользе или вреде питания в школьной столовой. Представлено отношение детей к школьной еде, исследование этапов приготовления еды, и прочее. Очень интересная и полезная работа.

воспитательная работа

group: Дисциплины

title: Питание школьников: польза или вред


extracted_text:
У р о к  58. ПРИБАВИТЬ И ВЫЧЕСТЬ ЧИСЛО 3
Цели   урока:  составить   таблицы   прибавления   и   вычитания   числа   3;
закреплять   знание   учащимися   состава   чисел   первого   десятка;   продолжать
работу над задачами; развивать логическое мышление учащихся.
Ход урока
I. Организационный момент.
II. Упражнение в умении логически мыслить.
Начать урок можно с задания на смекалку. Учитель может использовать
задачу, данную в учебнике (с. 97, часть 1), или подобрать своё задание.
III. Устный счёт.
2. Какое число пропущено?
                          6  +  *  <  8
                          8  –  *  =  5
                          9  –  *  >  7
                          7  +  *  =  9
                        10  –  *  =  8
                        10  –  *  >  7
IV. Составление таблицы прибавления и вычитания числа 3.
Для составления таблицы учитель может дать детям следующие задания:
1. 1  2   4   5   7.
– Что заметили?
– Вставьте недостающие числа.
2. Увеличьте каждое число на 3.
1 + 3 = 4
2 + 3 = 5
3 + 3 = 6
4 + 3 = 7
5 + 3 = 8
6 + 3 = 9
7 + 3 = 10
3. Каждое из полученных чисел уменьшите на 3.
4 – 3 = 1 5 – 3 = 2
6 – 3 = 3
7 – 3 = 4
8 – 3 = 5
9 – 3 = 6
10 – 3 = 7
На данном этапе урока (на усмотрение учителя) может быть выполнено
задание 1 (с. 31 в тетради № 1).
V. Работа над задачами.
Учащиеся читают и анализируют задачу 2 (с. 98 учебника, часть 1), затем
составляют  с х е м у:
После этого объясняют выбор знака действия, проговаривают решение и
записывают его в тетрадях.
Далее дети читают задачу 3 (с. 98 учебника, часть 1), составляют схему,
показывают   сигнальной   карточкой   знак   действия   и   записывают   решение
задачи. Решение проверяется  ф р о н т а л ь н о.
Затем учитель может предложить учащимся рассмотреть задачи 1 и 2 (с. 26
в тетради № 1).
Прочитав   каждую   задачу,   учащиеся   выделяют   в   ней   условие,   вопрос;
обосновывают выбор знака действия;  с а м о с т о я т е л ь н о  записывают
решение и проверяют его друг у друга.
VI. Закрепление навыков счёта.
С  этой  целью  учитель  может  предложить  учащимся  задания  4  и  5 (с.
2 в тетради № 1).
Задание 5 можно выполнить коллективно.
  Учащиеся   рассматривают   рисунки   и   числовые   выражения,   записанные
рядом;   сравнивают   их,  соотносят   рисунок   с   выражением,  а  затем   находят
значения выражений.
Задание 4 учащиеся могут выполнять  с а м о с т о я т е л ь н о  или в парах
(группах). Дети находят значения выражений и закрашивают определённым цветом
прямоугольники с одинаковыми значениями.
В те прямоугольники, в которых не записаны числовые выражения, дети
должны   записать   свои,   предварительно   выявив   закономерность   (у   детей
должен получиться определённый узор).
VII. Работа над развитием внимания учащихся.
В   заключение   урока   учитель   может   предложить   ученикам   задание,
способствующее   развитию   внимания.   Можно   выполнить   задание   на   полях
учебника (с. 99, часть 1).
VIII. Итог урока.
– Чему учились на уроке?
– Какое задание вам понравилось больше всего?
– Чем?
– Какое задание показалось особенно трудным?
– Что бы вам хотелось выполнить ещё?

file_name: У р о к  58.docx

intro:
У р о к  58. ПРИБАВИТЬ И ВЫЧЕСТЬ ЧИСЛО 3
Цели данного урока: составить таблицы прибавления и вычитания числа 3; закреплять знание учащимися состава чисел первого десятка; продолжать работу над задачами; развивать логическое мышление учащихся, наблюдательность учащихся, работать с геометрическим материалом.У р о к  58. ПРИБАВИТЬ И ВЫЧЕСТЬ ЧИСЛО 3

title: У р о к  58. ПРИБАВИТЬ И ВЫЧЕСТЬ ЧИСЛО 3


extracted_text:
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №5
Снятие статических характеристик полевого
транзистора с рn переходом
ЦЕЛЬ   РАБОТЫ.  Изучение   полевых   транзисторов   с  n  и  p  каналом,
снятие   статических   выходных   характеристик   и   стокзатворную
характеристику.   Исследовать   влияние   сопротивления     нагрузки     на   сток
затворную характеристику и коэффициент усиления напряжения.
ТЕОРИЯ
Полевым   транзистором   называется   полупроводниковый   прибор,   в
котором   ток   через   канал   управляется   электрическим   полем,
возникающим при подаче напряжения между затвором и истоком.
В   отличие   от   биполярных   транзисторов,   в   полевых   транзисторах   в
переносе тока участвуют только электроны или только дырки.
Рис.1 Структура полевого транзистора с управляющим pnпереходом.
Транзистор имеет структуру, представленную на рис.1. Между затвором
3   и   каналом   1   образуется  рnпереход,   обедненный   слой   которого
сосредоточен главным образом в объеме канала, выполненного из материала с
низким   содержанием   примеси.  От   канала   сделаны   выводы 3  и 4 –  сток   и
исток.   Исток  И  обычно   заземляют,   а   на   сток  С  подают   напряжение,   при
1 котором   основные   носители   заряда   устремляются   к   нему.  Канал      это
область   полупроводника,
  в   которой   поток   носителей   зарядов
регулируется   изменением   ее   поперечного   сечения.   Истоком   называется
электрод полевого транзистора, через который в канал втекают носители
зарядов, собираемые при выходе из канала другим электродом  стоком.
Затвор  это электрод, на который подается управляющее напряжение.
Принцип   действия   полевых   транзисторов   с   каналом  n  или  p  типов
идентичен.   Поэтому   в   дальнейшем   будем   рассматривать   работу   полевых
кремниевых   транзисторов   с   управляющим  pnпереходом   на   примере
транзистора   с   каналом  p  типа.   На   затвор   относительно   истока   подается
положительное   напряжение.   В   этом   случае  pnпереход   затвористок
находится под обратным смещением. На сток относительно истока должно
подаваться   отрицательное   напряжение.   Схема   включения   полевого
транзистора с управляющим  pnпереходом и каналом  p  типа приведена на
рисунке 3 а).
Управление током транзистора основано на изменении сечения канала
путем   регулирования   ширины   pnперехода   при   подаче   входного
напряжения   (напряжения   затвора).   При   подаче   на   затвор   относительно
истока положительного напряжения область pnперехода будет расширяться.
Pnпереход расширяется в соответствии с выражением:
l
обр

l
0

k



U


k
ЗИ
1
2



,                 (1)
где
l
0








2
k
0
e






1
N
a

1
N
Д
1
2







     ширина  pnперехода   в   равновесном
состоянии. Исходная пластинка кремниевого полупроводника  p  типа слабо
легирована   примесями,   поэтому  NД>>Nа  и   расширение  pnперехода   c
увеличением
ЗИU  (1) произойдет в область полупроводника p типа, сечение
канала  Sк  уменьшится,   а   его   сопротивление  rк  увеличится.   Электрическое
сопротивление канала rк зависит от его толщины, ширины и длины:
2 r
к

к
l

S

к
l
к

е
р
р
,
hw
 (2)
где  w     толщина   канала,  lк     длина   канала,  h     ширина   канала,  
электропроводность   полупроводника  p  типа,
 p     подвижность   дырок,
  pp     концентрация   дырок   (основных   носителей   зарядов)   в   области
полупроводника p типа, Sк  сечение канала.
В соответствии с соотношениями (1) и (2) при изменении напряжения на
затворе меняется ширина  pnперехода, сечение канала и его электрическое
сопротивление. В результате чего будет изменяться величина протекающего
тока стока. С увеличением  rк  ток стока   CI
  уменьшается. Сечение канала  Sк
изменяется неравномерно. Со стороны истока имеем более широкий канал, а
со стороны стока сечение канала уменьшается. Это происходит потому, что
СИ
Напряжение у стока будет больше, чем у истока, поэтому расширение  pn
сечение   канала   является   функцией     двух   напряжений:


UUf
,
S
ЗИ
.
к
перехода в области стока больше, чем в области истока (рис.2).
Напряжение
CИU   распределяется вдоль канала, оно больше у стока и
меньше у истока. За счет этого сечение канала, расположенного со стороны
стока, всегда будет значительно меньше, чем со стороны истока.
Рис.2.  Структура   полевого   транзистора   при   различных   напряжениях
между стоком и истоком.
Входной ток полевого транзистора равен току затвора Iвх  = Iз  и он
обусловлен переносом неосновных носителей зарядов через pnпереход.
3 Выходные характеристики полевого транзистора с управляющим
pnпереходом
Под   выходными   характеристиками   полевого   транзистора   с
управляющим   pnпереходом   понимаются   зависимости   тока   стока   от
напряжения стокисток при постоянном напряжении на затворе:
I 
C

Uf
СИ
 при
U ЗИ 
const
                              (3)
Рассмотрим   семейство   выходных   характеристик   полевого   транзистора
при различных напряжениях на затворе. Эти зависимости представлены на
рисунке 3 б).
Характеристика   при
1ЗИU   =   0   начинается   из   начала   координат.   При
подаче напряжения на сток в канале возникает ток  CI
, а pnпереход получает
обратное   смещение   и   расширяется.   На   участке   ОА   при   увеличении
напряжения
Плотность дрейфового тока через канал определяется выражением:
CИU  выходной ток  CI
 растет линейно, подчиняясь закону Ома.
j
др

еЕ
v
р
,
(4)
4 где jдр  плотность дрейфового тока, E  напряженность электрического поля,
a)
б)
CI
_
CИU
+
= 0
+
ЗИU
_
Ic
max
B
A
0
2
1
Uн1 Uн0
1
2
3
max =
 = 0
UЗИ2 = +2 В
UЗИ3 = +4 В
 доп
Uс
и
Рис.  3.  Выходные  характеристики  полевого  транзистора  с
управляющим  pn  переходом:  а  –  схема  включения;  б  –
выходные характеристики
v     дрейфовая   скорость   движения   носителей   зарядов   в   полупроводнике  р
CИU  растет дрейфовая скорость носителей зарядов, а,
типа. При увеличении
следовательно, и ток стока. При протекании тока стока появляется падение
напряжения   в   канале,   под   его   действием  pnпереход   получает   обратное
смещение и расширяется в область малолегированного канала. Чем ближе к
стоку, тем больше смещение pnперехода и тем уже в этом месте канал. На
участке АВ кривой 1 рост тока стока замедляется изза уменьшения сечения
канала  Sк  и зависимость тока стока   CI
  от напряжения стокисток
CИU   не
подчиняется закону Ома. В точке  В  напряжение стока возросло настолько,
что   изза   уменьшения   сечения   канала   и   увеличения   его   сопротивления  (2)
наступает   ограничение   роста   тока   CI
.   Напряжение   стока   в   точке  В
называется  напряжением   насыщения  UH0  и   отражает   прекращение
нарастания   тока   стока   CI
.   Участок  ОА  кривой   1   называется  областью
5 проводимости   канала  (омический   участок),   а   пологий   участок  BC
областью насыщения, который и является рабочим участком выходной
характеристики   полевого   транзистора   с   управляющим   pnпереходом.
Незначительное изменение тока стока на рабочем участке объясняется двумя
причинами:
1.   С   увеличением   напряжения   стокисток   почти   пропорционально
возрастает сопротивление канала (2) за счет его сужения.
2.   С   дальнейшим   ростом   напряжения   стокисток   приблизительно   все
внутреннее падение напряжения сосредоточено в самой узкой части канала со
стороны стока.
В   результате   в   области   канала   напряженность   электрического   поля
может быть высокой. В этом случае плотность дрейфового тока (4) достигает
насыщения и не зависит от напряжения стокисток. Это происходит потому,
что   подвижность   носителей  p  уменьшается   с  увеличением   напряженности
электрического   поля  E,   а   дрейфовая   скорость  v  их   движения   достигает
насыщения:
v

vE
const
p
нас
,                                            (5)
то   есть   можно   отметить,   что   при   увеличении   напряжения   стокисток
происходит   возрастание   напряженности   электрического   поля,   уменьшение
подвижности   носителей   зарядов   и   плотность   дрейфового   тока   на   рабочем
участке BC приблизительно постоянна:
j
др

vep
p

const
.
нас
(6)
Лишь   при   значительном   увеличении   напряжения   стокисток   может
наступить   пробой  pnперехода   и   ток   стока   CI
  будет   лавинообразно
возрастать. На рисунке 3 отмечена нерабочая область полевого транзистора с
управляющим  pnпереходом,   которая   ограничивается   тремя   параметрами:
максимальнодопустимым   током   стока
 –
  CI
макс;
 максимально
допустимым   напряжением   стокисток

CИU доп;
 максимально
допустимой мощностью рассеяния стока –  CP макс.
6 На рабочем участке BC угол наклона выходной характеристики близок к
нулю,   поэтому   выходное   сопротивление  Rвых  полевого   транзистора   с
управляющим pnпереходом велико и имеет значения порядка сотен кОм.
Если на затвор относительно истока подать положительное напряжение
2ЗИU =+2В,   то   исходное   сечение   канала  Sк  уменьшается,   сопротивление
канала rк возрастает и выходная характеристика 2  CI =f(
CИU ) при
ЗИU >0 в
области   проводимости   пойдет   под   меньшим   углом   наклона
,   а   в
режиме насыщения ниже, чем выходная характеристика 1. Насыщение канала
2 
1
для выходной характеристики 2 наступает при меньшей величине напряжения
стокисток:

UU
U
U

ЗИ
2
1
ЗИ
H
1
H
0
(7)
При   дальнейшем   увеличении   напряжения   затвористок
3ЗИU =+4В
происходит уменьшение тока стока  CI
еще ниже, как это показано на рисунке 3.
 и выходная характеристика 3 пойдет
Стокзатворные характеристики полевого транзистора с управляющим p
nпереходом
Под   стокзатворной   характеристикой   полевого   транзистора
понимается зависимость тока стока от напряжения затвористок при
постоянном значении напряжения стокисток:
I 
C

Uf
ЗИ
 при
U CИ 
const
                  (8)
На   рисунке   4   приведено   семейство   стокзатворных   характеристик
полевого   транзистора   с   каналом  pтипа.   Характеристика   1   соответствует
напряжению   стокисток
1CИU =10В.   Из   зависимости   1   следует,   что   при
некотором   напряжении
ЗИU =Uзотс  ток   стока
  CI =0.
 Минимальное
напряжение   затвористок,   при   котором   ток   стока   равен   нулю,
называется   напряжением   отсечки   Uзотс.   Значение   напряжения   отсечки
ЗИU =0   через   полевой
определяется   равновесной   шириной   канала.   При
транзистор   протекает   максимальный   ток,   сечение   канала   в   этом   случае
максимальное,   а   сопротивление   канала   наименьшее.   При   увеличении
7 напряжения затвористок управляющий  pnпереход расширяется в область
слабо  легированного  полупроводника  pтипа  (lобр  увеличивается)  и  сечение
канала уменьшается, что приводит к росту сопротивления канала rк=lк/(Sк) и
уменьшению тока стока.
При напряжении на затворе равным напряжению отсечки сечение канала
становится   приблизительно   нулевым,   транзистор   запирается,   а   ток   стока
Ic
1
0
Uc2 = 15 B
Uc1 = 10 B
2
Uзотс
Uзи
Рис.  4.  Стокзатворные  характеристики  полевого
транзистора  с  управляющим  pnпереходом  и  каналом  p
типа.
стремится к нулю (рисунок 4 (1)).
При   подаче   на   сток   напряжения
2CИU =15В   ток   стока   изменится
незначительно,   так   как   это   напряжение   соответствует   рабочему   режиму
полевого транзистора, поэтому стокзатворная характеристика в этом случае
(зависимость 2 рисунка 4) пойдет несколько выше, чем зависимость 1 при
1CИU =10В. Отсюда следует, что при разных напряжениях сток
напряжении
исток   в   рабочем   режиме   стокзатворные   характеристики   полевого
транзистора   идут   очень   близко   друг   к   другу,   а   напряжение   отсечки
практически не изменяется. С учетом этого факта в справочниках приводится
стокзатворная   характеристика   полевого   транзистора   с   управляющим  pn
переходом при одном напряжении стокисток.
8 На стокзатворную характеристику полевого транзистора с управляющим
pnпереходом   значительное   влияние   оказывает   температура   окружающей
среды. При изменении температуры окружающей среды на ход стокзатворной
характеристики полевого транзистора влияют два фактора:
1.   При   увеличении   температуры   уменьшается   подвижность   носителей
заряда в канале, которая определяется соотношением  =AT3/2, это приводит
к   уменьшению   электропроводности   канала,   следовательно,   к   росту
сопротивления канала и снижению значения тока стока.
2.  Повышение   температуры   ведет   к   снижению   высоты   потенциального
барьера   управляющего  pnперехода,   к   уменьшению   его   ширины,   а,
следовательно, к увеличению сечения канала, росту тока стока и напряжения
отсечки.
Параметры полевых транзисторов с управляющим pnпереходом
Параметры   полевых   транзисторов   определяются   из   связи   между
выходным током  током стока и напряжениями затвористок, стокисток:
CI =f(
ЗИU ,
CИU ).
 (9)
Из   функционального   уравнения   (9)   получаем   дифференциальное
уравнение в частных производных вида:
d CI =( CI
/
ЗИU )
ЗИU +( CI
/
CИU )
CИU .
  (10)
Другая запись уравнения (10) имеет вид:
d CI =Sd
ЗИU +(1/Ri)d
CИU .                                         (11)
Из уравнения (11) находятся основные статические параметры полевых
транзисторов: крутизна характеристики  S; внутреннее сопротивление  Ri;
статический коэффициент усиления по напряжению
vK .
Эффективность управляющего действия затвора в полевых транзисторах
оценивается   крутизной   стокзатворной   характеристики.
 Крутизна
характеристики   S   показывает   на   сколько   миллиампер   изменяется
величина   тока   стока   при   изменении   напряжения   на   затворе   на   один
вольт.
9 S


I

U
C
ЗИ

dI
dU
C
ЗИ
 при
CИU =const.                         (12)
При определении крутизны S напряжение стокисток должно оставаться
постоянным.  Графически   величина  S  соответствует   наклону   касательной   в
заданной точке стокзатворной характеристики: S=tg(), где  угол наклона
касательной.   Поскольку   ток   стока   нелинейно   зависит   от   напряжения   на
затворе,   то   и   крутизна   характеристики   является   функцией   напряжения   на
затворе:  S=f(
ЗИU ).   В   зависимости   от   типа   полевого   транзистора   крутизна
маломощных транзисторов имеет среднее значение порядка: S=(1,52,0) мА/В.
Внутреннее   сопротивление   полевого   транзистора   Ri  характеризуется
воздействием напряжения стока на ток стока и определяется из выражения:
R
i


U

I
CИ
C

dU
dI
CИ
C
 при
ЗИU =const               (13)
Внутреннее   сопротивление   полевого   транзистора      это   отношение
изменения выходного напряжения (напряжения стокисток) к изменению
выходного   тока   (тока   стока)   при   постоянном   напряжении   на   затворе.
Этот параметр показывает сопротивление полевого транзистора переменному
току и составляет сотни кОм в зависимости от типа полевого транзистора.
Графически внутреннее сопротивление соответствует наклону касательной в
заданной точке выходной характеристики полевого транзистора:  Ri  = ctg(),
где   угол наклона касательной. Чем положе идет выходная характеристика
полевого транзистора, тем большее значение имеет внутреннее сопротивление.
Статическим   коэффициентом   усиления   по   напряжению
vK
называют   отношение   изменения   напряжения   стокисток   к   изменению
напряжения затвористок при неизменном токе стока:
K
v


U

U
СИ
ЗИ

dU
dU
СИ
ЗИ
 при  CI =const
(14)
Статический   коэффициент   усиления   по   напряжению   показывает   во
сколько раз напряжение на затворе сильнее влияет на ток стока по сравнению
10 с напряжением на стоке. Значение
vK , как правило, много больше единицы.
Если дифференциальное уравнение (11) приравнять нулю, то получим:
dI
C

SdU
ЗИ

1
R
i
dU
СИ

0
,     (15)
v
SR
или
K  .       (16)
Уравнение (16) получило название внутреннего уравнения. Это уравнение
широко применяется на практике для вычисления третьего параметра по двум
i
известным.
Чтобы определить параметры полевого транзистора с управляющим pn
переходом необходимо иметь семейство выходных характеристик. Крутизну
характеристики   и   внутреннее   сопротивление   могут   быть   определены
графически по выходным характеристикам на рабочем участке (рисунок 5).
Крутизну характеристики S=( CI
/ ЗИU ) при
CИU =const определяют по
точкам A и B зависимостей 1 и 2 рисунка 5. Приращение тока стока находят
как разность значений токов стока в точках A и B при напряжении стокисток
CИU =
CИU
ном
,  
I
C

I
C
1
I
C
2
, а приращение напряжения затвористок  как
разность напряжений на затворе между зависимостями 1 и 2 рисунка 5:  ЗИU
1ЗИU
=
2ЗИU .
11 Внутреннее сопротивление  Ri= CИU / CI
  при
2ЗИU =const  определяют
по   точкам  B  и  C  рисунка   5,   расположенных   на   рабочем   участке,   при
напряжении
ЗИU =
2ЗИU =const:  CИU = CИU ном
1CИU ;  CI =
2CI

3CI
.
Значение   статического   коэффициента   усиления   по   напряжению
определяется из уравнения (16) по найденным S и Ri.
12 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
Задание
Протестировать транзисторы типа  n  и типа  p  с помощью мультиметра,
снять   статические   выходные   характеристики   и   стокзатворную
характеристику. Исследовать влияние     сопротивления   нагрузки   на   сток
затворную  характеристику  и  коэффициент усиления напряжения.
Порядок выполнения экспериментов
1.  Переключите  мультиметр в режим тестирования диодов и измерьте
падение   напряжения   на  pn  переходах   транзисторов   по   первым   четырём
схемам, приведённым в табл. 2.8.
Примечание: в режиме тестирования диодов мулътиметр измеряет
падение напряжения на открытом  рп  переходе при определённом токе
(примерно 1 мА), создаваемом самим прибором. В обратном направлении
он показывает обрыв цепи (1 в старшем разряде).
2.  Переключите   мультиметр   в   режим   измерения   сопротивлений   и
измерьте   сопротивление   «сток      исток»   при  Uзи   =   0   по   двум   последним
схемам табл. 1.
Таблица 1
3.  Соберите цепь для снятия характеристик транзистора (рис. 6). Диод
включен в схему для предотвращения подачи отрицательного напряжения на
13 транзистор   при   снятии   выходных   характеристик,  а  между   точками   А   и   В
включена   перемычка,   удалив   которую   можно   включить   в   цепь   стока
сопротивление нагрузки.
Рис.6
4.  Включите   блок  генераторов   напряжений   и  мультиметры.  Регулируя
напряжение на затворе потенциометром, определите начальный ток стока и
напряжение отсечки.
5.  Изменяя   напряжение   на   затворе   потенциометром   от   нуля   до
напряжения отсечки, снимите стокзатворную характеристику (табл. 2).
Таблица 2
UЗИ, В
IС, мА
0
0,5
1
1,5
2
6.  Постройте   график   стоко   затворной   характеристики   (рис.   7)   и
определите крутизну:
S


I

U
;
C
ЗИ
14 Рис. 7
7.  Для   снятия   выходных   характеристик   транзистора   переключите
питание на регулируемый источник постоянного напряжения 13...+13 В, как
показано   на   схеме   пунктиром,   установите   напряжение   на   затворе   равным
нулю и переключите вольтметр для измерения напряжения Uси
8. Регулируя напряжение питания от 0 до максимального значения (13...
14 В), снимите зависимость Iс(Uси) при Uзи=0 (табл. 3).
Uси, В
Iс,
мА
при  Uзи=0В
при  Uзи=0,5В
при  Uзи=1В
при  Uзи=1,5В
0
0,5
1
1,5
2
3
4
5
6
8
12
Таблица 3
15 9.   Переключите   снова   вольтметр   для   измерения   напряжения  Uзи,
установите потенциометром  Uзи = 1В, переключите вольтметр обратно для
измерения напряжения Uси и снимите зависимость (Uси) при Uзи = 1 В.
10. Аналогично снимите выходные характеристики при других значениях
Uзи
11. На рис. 7 постройте графики выходных характеристик.
12. Для исследования влияния нагрузочного сопротивления на крутизну
стокзатворной характеристики и коэффициент усиления напряжения вновь
переключите питание на нерегулируемый источник +15 В, удалите из схемы
перемычку   и   включайте   вместо   неё   различные   сопротивления   нагрузки,
указанные в табл. 4.
13. При каждом сопротивлении записывайте в табл. значения  Iс и   Uси
при двух значениях напряжения на затворе.
14. Вычислите по этим значениям коэффициенты усиления напряжения и
крутизну затворностоковой характеристики. На рис. 8 постройте графики и
проанализируйте их.
Таблица 4
16 Рис.8
КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
1. В чем принципиальное отличие полевых транзисторов от биполярных?
2. Какова структура полевого транзистора с управляемым рп переходом?
3. Какой полярности напряжение должно подаваться на затвор относительно
истока   для   эффективного   управления   током   транзистора   с   каналом  р
типа?
4. Чем объясняется высокое входное сопротивление полевых транзисторов?
5. Объясните принцип усиления сигналов с помощью полевого транзистора?
6. Объясните,   по   каким   причинам   происходит   насыщение   тока   стока   на
выходной характеристике?
7. Каковы основные параметры полевых транзисторов и в чем их физический
смысл?
8. Какое напряжение называется напряжением отсечки?
9. Какое напряжение называется напряжением насыщения?
10.Каковы основные характеристики полевого транзистора с управляемым р
п переходом?
17 18

file_name: Лабораторная работа 5 ПТ.doc

intro:
ЦЕЛЬ РАБОТЫ. Изучение полевых транзисторов с n и p каналом, снятие статических выходных характеристик и сток-затворную характеристику. Исследовать влияние сопротивления  нагрузки  на сток-затворную характеристику и коэффициент усиления напряжения.
ТЕОРИЯ
Полевым транзистором называется полупроводниковый прибор, в котором ток через канал управляется электрическим полем, возникающим при подаче напряжения между затвором и истоком.

title: ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА: Снятие статических характеристик полевого транзистора с р-n переходом


extracted_text:



мероприятия посвященного 73 годовщине  Победы в ВОВ
Конспект
 «Голубь мира»
Цель: Формировать у детей гражданскую принадлежность и патриотические чувства.
Задачи:
Социально  коммуникативное развитие
1. Расширять представления детей о том, что Земля – наш общий дом, на Земле много
разных стран, о том как важно жить в мире со всеми народами.
2. Уточнить представления о родине – России.
Речевое развитие
1. Совершенствовать художественно – речевые навыки при чтении стихотворений.
2. Развивать умение чувствовать красоту и выразительность языка литературных
произведений.
Художественно – эстетическое развитие
1. Учить создавать объёмную фигуру из бумаги  образ голубя.
2. Совершенствовать умение работать с бумагой по готовой выкройке: сглаживать
сгибы, делать надрезы.
3. Воспитывать аккуратность при работе с клеем и бумагой.
4. Развивать интерес к музыке
Предварительная работа:
Подготовить песню «Летите, голуби, летите… » (муз. И. Дунаевского, сл.
М.Матусовского).
Материалы: шаблоны голубей из белой бумаги, ножницы, клей, кисти,
шпажки,цветные восковые мелки. Фонограмма песни «Летите, голуби… »
Ход образовательной деятельности:
1. занятие начинается песней «Летите, голуби, летите…» (муз. Исаака Дунаевского, сл.
Михаила Матусовского)
Учитель:
Вы хотите узнать, почему это занятие посвящено миру?
22 июня 1941 года, ранним утром, война пришла и в нашу страну: немецкие фашисты
напали на нашу Родину. Это были тяжёлые времена для всех жителей России: и
взрослых, и детей.
Ученик:
Войны я не видел, но знаю,
Как трудно народу пришлось, И голод, и холод, и ужас –
Всё им испытать довелось.
Учитель:
Закончилась война только… Когда? (9 мая 1945г.). На Красной площади в Москве
прошёл Парад Победы.
Ученик:
День Победы 9 Мая –
Праздник мира в стране и весны.
В этот день мы солдат вспоминаем,
Не вернувшихся в семьи с войны.
Мы с вами тоже каждый год ходим возлагать цветы погибшим героям.
С тех пор прошло много лет, но все россияне хотят только одного – мира во всём мире.
Ведь победа досталась нам такой трудной ценой  ценой самого дорогого, что есть у
человека – жизни. Много солдат полегло на поле боя и не вернулось домой.
 Ученик:
Пусть все мирно живут на планете,
Пусть дети не знают войны,
Пусть яркое солнышко светит!
Мы дружной семьёй быть должны!
К большому сожалению, на нашей планете добро ходит рядом со злом.
После Великой Отечественной войны прошло 70 лет. Но уже за это время в разных
уголках нашей планеты бушевало более 100 войн.
Радио, телевидение, газеты приносят тревожные новости. То в одном, то в другом
конце земного шара происходят военные конфликты, падают на землю бомбы, горят
школы и больницы, гибнут люди. Вы все, наверно, слышали, о том что сейчас идёт
война в Украине?
Но всё же большинство людей хотят жить на мирной планете.
 В 1949 году в Париже и в Праге прошёл Первый Всемирный конгресс сторонников
мира. Встреча прошла под девизом: «Защита мира – дело всех народов
мира». Эмблемой этого конгресса стал белый  голубь, несущий в клюве оливковую
ветвь. Нарисовал эмблему художник Пабло Пикассо.
Не случайно и наша встреча началась с песни «Летите, голуби, летите».
Почему именно голубь является символом мира?
Известно, что с очень давних времен голуби считались священными птицами, добрыми
вестниками богов.
Со времен истории о Всемирном потопе голубь считается символом мира, ведь именно он
принес оливковую ветвь в ковчег, дав знак о том, что потоп окончен и Бог примирился с
людьми.
Есть множество легенд, согласно которым голуби приводят ситуацию к мирному
разрешению.
Есть древняя греческая легенда, гласящая, как голубка свила гнездо и вывела птенцов в
шлеме Марса, богапокровителя войн. Чтобы не тревожить их, он вынужден был
отказаться от очередной войны. Со времен основоположника медицины Гиппократа желчь считалась причиной гнева и
неуживчивого, злобного характера. В те времена считалось, что у голубя желчного
пузыря нет.
Существовало поверье, что ведьма и дьявол могут принять обличье любого зверя,
рыбы, птицы и насекомого, за исключением только голубя и еще ягненка.
Символизируя снисходящее божественное вдохновение, на плече пророка Мухаммеда
появлялся белый голубь. В странах Востока голубь является символом и вестником
Бога, священной птицей. Три святые девы в исламе обозначаются тремя столбами, на
которых восседают белые голуби.
Белые голуби  вестники мира
От Белого моря, до предгорьев Памира
Голубь летал, когда Бог наш крестился.
Голубь и Матери Божьей явился.
Белые голуби  цвет чистоты!
Белые голуби  знак красоты!
Белые голуби, счастье несите,
Радость и мир на Земле всем дарите!
Кто из вас знает для чего использовались голуби в старину? (для отправления
посланий). Предлагаю вам изготовить сегодня белых голубей – символ МИРА всем
людям Земли.
Наши белые голуби будут олицетворять призыв всем людям жить в мире, дружбе и
взаимопонимании, они расскажут всему миру о том, что мы с вами и все дети в России
не хотят войн.
Прежде чем перейти к практической части давайте повторим:
 Что интересного из новой информации вы для себя подчеркнули?
 Как звали богов любви и войны?
 Кто нарисовал эмблему мира?
 И что такое конгресс?
2. Практическая часть.
/Учитель рассказывает последовательность изготовления Голубя, показывает, как
правильно сложить шаблон, где сделать надрезы, какие места склеить между собой/.
 Вот и готов наш голубь мира.
Поделитесь своими впечатлениями над проделанной работой…
 Перед тем, как завершить занятие давайте все вместе прочитаю вам стихотворение
«Голуби»
Мы хотим, чтоб в этом мире
Больше не было войны
Чтобы люди жизнь любили
Как весенние цветы,
Чтобы больше на планете
Было белых голубей,
Потому, что птицы эти
Так похожи на детей. Пусть они себе воркуют
Нам о мире на земле.
Небо синее целуют
И кружатся в вышине.

file_name: Голубь символ мира.docx

intro:
Цель: Формировать у детей гражданскую принадлежность и патриотические чувства.

Задачи:
•	Социально - коммуникативное развитие
1. Расширять представления детей о том, что Земля – наш общий дом, на Земле много разных стран, о том как важно жить в мире со всеми народами.
2. Уточнить представления о родине – России.

•	Речевое развитие
1. Совершенствовать художественно – речевые навыки при чтении стихотворений.
2. Развивать умение чувствовать красоту и выразительность языка литературных произведений.

•	Художественно – эстетическое развитие
1. Учить создавать объёмную фигуру из бумаги - образ голубя.
2. Совершенствовать умение работать с бумагой по готовой выкройке: сглаживать сгибы, делать надрезы.
3. Воспитывать аккуратность при работе с клеем и бумагой.
4. Развивать интерес к музыке
Предварительная работа:
Подготовить песню «Летите, голуби, летите… » (муз. И. Дунаевского, сл. М.Матусовского).
Материалы: шаблоны голубей из белой бумаги, ножницы, клей, кисти, шпажки,цветные восковые мелки. Фонограмма песни «Летите, голуби… »

title: Конспект  мероприятия посвященного 73- годовщине  Победы в ВОВ  «Голубь мира»